Herr Dr Binder Sie haben eine Technologie entwickelt mit der Sie die Wafer Fertigung einen großen Schritt nach vorne bringen Was steckt dahinter HB Wafer sind die Basis von fast allem was es heute an elektronischen Bauelementen gibt vor allem Chips egal ob für Ihr Smartphone oder Ihr Auto Jeder einzelne Wafer im Durchmesser etwa so groß wie eine Pizza wird Scheibe für Scheibe aus einem Siliciumzylinder heraus gesägt bei relativ hohem Materialverlust Das ist die Basis der gegenwärtigen Halb leiter Technologie Wir ersetzen nun das Sägeverfahren durch ein Laser Split Verfahren die sogenannte Cold Split Technologie Der Kernprozess ist ein Multiphotonen Laser der eigens von uns entwickelt wurde Mit ihm erzeugen wir eine mikrometergenaue Schädigung der Kristallstruktur Danach wird der Wafer bei sehr tiefen Temperaturen in einem speziellen Reaktor gesplittet So entsteht eine relativ glatte Spaltfläche fast ohne Materialverlust Nun steigt der Bedarf an neuen Wafer typen mit besseren Leistungsdaten hohen Spannungen und Strömen Wie sieht es damit aus HB Richtig das Wafer Grundmaterial Silizium Si das seit Beginn der Halbleiter technologie verarbeitet wird stößt bei hohen Strömen und hohen Frequenzen wie sie bei Leistungshalbleitern benötigt wird an seine Grenzen Deshalb wird es durch neuartige Rohmaterialien wie zum Beispiel Siliciumcarbid SiC abgelöst Diese Materialien haben erheblich bessere Leistungsdaten sind aber extrem hart und zudem um ein Vielfaches teurer Hier kommen die Vorteile unserer Cold Split Technologie noch weit stärker zum Tragen Denn wir minimieren allein den kerf loss also den Sägeverlust auf unter 100 Mikrometer μm Das bedeutet wir bekommen aus jedem einzelnen Rohling circa 30 bis 40 mehr Wafer heraus Sie messen Ihren Vorsprung in Tausendstel Millimeter Welche Vorteile haben Ihre Kunden davon HB Die neuen Halbleiter finden unter an derem Anwendung bei den erneuerbaren Energien bei Solarkraft und Windkraft anlagen Wenn Sie sehen dass allein im letzten Jahr weltweit fast 100 Gigawatt neue Photovoltaik Leistung dazugekommen sind ähnlich hoch ist der Zubau bei Wind kraftanlagen dann wird klar dass der Bedarf an effizienteren Leistungshalbleitern sehr groß ist Hier bietet Siliciumcarbid große Vorteile weil die Bauelemente und damit das gesamte System kompakter und effizienter gebaut werden können Viele dieser Power Chips benötigen aber eine Dicke von beispielsweise 100 Mikrometer solche dünnen Scheiben werden bisher von einem ca 350 Mikrometer dicken Wafer heruntergeschliffen mit großem Materialverlust und damit umso teurer bei Siliciumcarbid Jetzt kommen wir und sagen kein Problem wir splitten den Wa fer bei genau 100 Mikrometer und dann bleibt sogar nochmal ein Wafer übrig von 150 Mikrometer Deshalb heißt unser Verfahren auch Twinning weil wir 2 Wafer daraus machen 30 Ich begrüße es sehr dass ein deutscher Venture Capital Geber solche Hightech Vorhaben finanziert Dr Harald Binder Der promovierte Physiker begann seine berufliche Laufbahn 1977 bei Euratom und war danach viele Jahre bei Siemens im DRAM Umfeld tätig Seine weiteren Station waren bei Reinraum Anlagenbauer M W Zander centrotherm thermal solutions AG und Applied Materials einem der weltgrößten Hersteller von Anlagen für die Halbleiterin dustrie Seit Juni 2017 ist er CEO von SILTECTRA DR HARALD BINDER CEO SILTECTRA Leaderportrait SILTECTRA

Vorschau MIG MAG Q1/2018 Seite 30
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