32 Reduzierung Materialverlust Eroberung des Massenmarkts SILTECTRA ist in der Lage die Materialver luste auf unter 100μm zu reduzieren In den herkömmlichen Technologien sind weniger als 300μm kaum möglich Beachtet werden muss dass die Standarddicke eines Wafers bei 350μm liegt Der Trend in der Industrie geht ebenso zu dünnen Wafern somit verstärkt sich das Alleinstellungsmerkmal von SILTECTRA noch mehr der Materialverluste gegenüber herkömmlichen Methoden wie dem Sägen spart SILTECTRA mit ihrem Verfahren ein Das besondere Laserverfahren mit dem SILTECTRA weltweiter Vorreiter ist beruht auf einem chemisch physikalischen Vorgang Durch thermischen Stress werden Kräfte erzeugt die das Material entlang der gewünschten Ebene spalten Je nach Material macht der Wafer etwa 5 bis 50 der Kosten in der Chipproduktion aus Durch die Cold Split Technologie wird die neue Generation von Bauelementen für die Hochleistungselektronik um bis zu 15 bis 20 günstiger Damit können Zukunftsanwendungen für erneuerbare Energien Elektromobilität sowie 5G in der Kommunikationstechnologie schneller den Massenmarkt erobern 90 25 100 µm 300 µm 350 µm SILTECTRA Patente 5 50 betragen die Chipproduktionskos ten eines Wafers 15 20 Kostenersparnis bringt die COLD SPLIT Technologie Facts Figures SILTECTRA

Vorschau MIG MAG Q1/2018 Seite 32
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